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分立半导体
IPP200N25N3GXKSA1参考图片

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IPP200N25N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥49.6409
49.6409
10
¥44.7932
447.932
25
¥42.7253
1068.1325
100
¥37.1092
3710.92
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
G IPP200N25N3 IPP2N25N3GXK SP000677894
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP200N25N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 800 Volt 200 Amp
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60:¥799.5202
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2,500:¥3.4917
10,000:¥3.3561
25,000:¥3.2544
参考库存:34407
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6,500:¥1.5594
13,000:¥1.4577
19,500:¥1.3786
参考库存:34416
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