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分立半导体
IPP200N25N3GXKSA1参考图片

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IPP200N25N3GXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥49.6409
49.6409
10
¥44.7932
447.932
25
¥42.7253
1068.1325
100
¥37.1092
3710.92
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
G IPP200N25N3 IPP2N25N3GXK SP000677894
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP200N25N3GXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMBJ5351A/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥8.8366
6,000:¥8.2942
9,000:¥7.91
参考库存:51016
TSP15H200S
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode, Low VF Trench Schottky, 15A, 200V
1:¥6.2263
10:¥5.3788
25:¥4.9381
100:¥4.294
1,500:¥2.2487
参考库存:51019
1N946/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥365.6002
200:¥345.1698
参考库存:51022
JANS1N4126D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥1,146.9952
参考库存:51025
2EZ30D2/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥11.9102
8,000:¥11.2209
参考库存:51028
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