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分立半导体
BSC750N10NDGATMA1参考图片

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BSC750N10NDGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 13A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:1,392(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.8367
10.8367
10
¥9.2208
92.208
100
¥7.1077
710.77
500
¥6.2828
3141.4
5,000
¥4.3957
21978.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
62 mOhms, 62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC, 11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
26 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6.5 S, 6.5 S
下降时间
3 ns, 3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 13 ns
典型接通延迟时间
9 ns, 9 ns
零件号别名
BSC750N10ND BSC75N1NDGXT G SP000359610
单位重量
556 mg
商品其它信息
优势价格,BSC750N10NDGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥34.1147
10:¥28.9732
100:¥25.1312
250:¥23.8204
500:¥21.357
1,000:¥18.0574
参考库存:1770
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4672
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:7546
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-247-e3
1:¥30.4309
10:¥25.2781
100:¥20.7468
250:¥20.1366
参考库存:2176
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥28.589
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
参考库存:2136
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