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分立半导体
SI7900AEDN-T1-E3参考图片

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SI7900AEDN-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.65
5650
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.6 ns
典型接通延迟时间
0.85 ns
零件号别名
SI7900AEDN-T1
商品其它信息
优势价格，SI7900AEDN-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBR4090PTE3/TU
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1,500:¥6.9043
3,000:¥6.4071
6,000:¥6.1811
10,500:¥5.7065
参考库存:28052
SIHFR420A-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥7.2998
10:¥5.8421
100:¥4.4296
500:¥3.6612
参考库存:28055
MPG06MHE3_A/54
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A, 1000V, MINI-PLASTIC RECT.
22,000:¥0.63732
27,500:¥0.59212
参考库存:28058
VS-ST300S18M0PBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - TO-118 COMP RND-e3
6:¥1,625.3242
12:¥1,584.9832
30:¥1,562.6996
参考库存:28061
CDLL4690E3
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
271:¥26.3516
500:¥23.6622
1,000:¥19.8993
2,500:¥18.984
参考库存:28064
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