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分立半导体
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IRFB4321PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
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1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
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500
¥12.8368
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
83 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
71 nC
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001577790
单位重量
6 g
商品其它信息
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