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分立半导体

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STGWA25H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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数量单价合计
1
¥58.8617
58.8617
10
¥53.1778
531.778
25
¥50.7144
1267.86
100
¥44.0248
4402.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA25H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格,STGWA25H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 20A, 400V, ESD PROTECTION, SMPD
1:¥9.5259
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,000:¥4.0906
参考库存:5141
分立半导体
肖特基二极管与整流器 12 Amp 100V Schottky Rectifier
1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
5,000:¥2.7007
参考库存:72169
分立半导体
整流器 4A,200V, SMPC Fast Rec Avalanche
1:¥10.9158
10:¥8.9948
100:¥6.9043
500:¥5.9325
1,000:¥4.6782
1,500:¥4.6782
参考库存:4846
分立半导体
整流器 Dual 2x15A 600V FRED Pt AEC-Q101
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
2,000:¥7.8422
参考库存:5435
分立半导体
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥10.3734
10:¥8.5315
100:¥6.5653
500:¥5.65
2,000:¥4.1697
4,000:查看
参考库存:4582
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