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分立半导体
SI7113DN-T1-GE3参考图片

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SI7113DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:19,403(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.0173
3508.65
1,000
¥5.537
5537
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13.2 A
Rds On-漏源导通电阻
134 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SI7113DN-GE3
商品其它信息
优势价格,SI7113DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.0 A Ultra Fast Recovery Rect
1:¥3.7629
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
7,500:¥0.53788
22,500:查看
参考库存:14946
分立半导体
MOSFET UniFET, 400V
1:¥21.2892
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:3462
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.7686
10:¥3.7064
100:¥3.2544
500:¥2.9154
3,000:¥1.5707
9,000:查看
参考库存:6663
分立半导体
整流器 1000V 2A
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:20351
分立半导体
整流器 200 Volt 3.0A 20ns Glass Passivated
1:¥4.4522
10:¥3.3448
100:¥2.486
500:¥2.0453
3,500:¥1.4464
7,000:查看
参考库存:9966
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