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产品分类

分立半导体
SI7415DN-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI7415DN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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库存:2,308(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.0684
12.0684
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
3,000
¥6.8026
20407.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.7 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SI7415DN-GE3
商品其它信息
优势价格,SI7415DN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 BOND MODULE
1:¥2,004.2132
5:¥1,956.0413
10:¥1,907.3948
25:¥1,880.7381
参考库存:3543
分立半导体
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,000:¥3.4578
参考库存:8474
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 150V Schottky Rectifier
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2884
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
5,000:¥3.6838
参考库存:17735
分立半导体
MOSFET 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:5992
分立半导体
稳压二极管 500mW PLZ Zener AEC-Q101 Qualified
1:¥2.3843
10:¥1.5707
100:¥0.7684
500:¥0.65314
4,500:¥0.33787
9,000:查看
参考库存:30753
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