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分立半导体
STGY40NC60VD参考图片

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STGY40NC60VD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N Ch 600V 50A Max247
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数量单价合计
1
¥84.4449
84.4449
10
¥76.3767
763.767
25
¥72.8398
1820.995
100
¥63.2348
6323.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
Max247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGY40NC60VD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
20.3 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商标名
PowerMESH
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，STGY40NC60VD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N6311CUS
Microsemi
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50:¥2,908.0098
参考库存:27564
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50,000:¥0.86106
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10,000:¥1.6046
20,000:¥1.4577
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100,000:¥0.60681
参考库存:27570
CDLL4129/TR
Microsemi
分立半导体
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100:¥27.1991
262:¥27.1991
500:¥24.4306
1,000:¥20.5886
2,500:¥19.5942
参考库存:27573
SF306C
Rectron
分立半导体
整流器 3A 400V 35ns
900:¥43.7988
参考库存:27576
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