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分立半导体
AUIRL1404Z参考图片

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AUIRL1404Z

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms
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库存:1,793(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.3628
24.3628
10
¥20.7468
207.468
100
¥17.9783
1797.83
250
¥17.063
4265.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
5.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
200 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
49 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001516820
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,AUIRL1404Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.7467
10:¥15.9104
100:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:3969
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0738
500:¥6.2602
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:9579
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:4298
分立半导体
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7628
参考库存:6016
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
参考库存:11102
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