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分立半导体
CSD16321Q5参考图片

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CSD16321Q5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:21,928(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2094
3604.7
2,500
¥5.5596
13899
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
113 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16321Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
150 S
开发套件
TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
117.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16321Q5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 40A, 1600V Thyristor Module
10:¥213.231
30:¥195.942
50:¥191.3316
100:¥182.1108
参考库存:21834
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 200V, ZENER
1:¥8.2264
10:¥4.7686
100:¥3.8194
500:¥2.26
1,800:¥1.5029
9,000:查看
参考库存:21837
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,150V,SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.5315
10:¥7.6049
25:¥6.8591
100:¥6.0116
800:¥3.6838
2,400:查看
参考库存:21840
分立半导体
分立半导体模块 Power MOSFET - MOS7
1:¥737.7431
5:¥713.9227
10:¥691.6391
25:¥659.3663
参考库存:21843
分立半导体
整流器 600V 300A REV Leads Std. Recovery
40:¥382.505
50:¥369.7586
100:¥364.8318
200:¥344.4014
参考库存:21846
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