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分立半导体
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FQA55N25

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库存:5,084(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.5728
43.5728
10
¥37.0414
370.414
100
¥32.0468
3204.68
250
¥30.4309
7607.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA55N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
250 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
700 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
100 ns
零件号别名
FQA55N25_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FQA55N25的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,35V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥12.0684
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.5766
800:¥5.1867
参考库存:25335
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥642.9926
参考库存:25338
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:25341
分立半导体
SCR模块 600 Volt 500 Amp
1:¥515.054
5:¥505.6072
10:¥484.7022
25:¥469.5715
参考库存:25344
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
5,000:¥6.0681
10,000:查看
参考库存:25347
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