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分立半导体
HFA3127BZ参考图片

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HFA3127BZ

  • Renesas / Intersil
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL
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数量单价合计
1
¥73.9924
73.9924
10
¥66.8508
668.508
25
¥63.7772
1594.43
100
¥55.3248
5532.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
HFA3127
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极连续电流
0.065 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
配置
Quint
封装 / 箱体
SOIC-Narrow-16
封装
Tube
集电极—基极电压 VCBO
12 V
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 10 mA at 2 V
高度
1.5 mm
长度
10 mm
工作频率
8000 MHz (Typ)
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
4 mm
商标
Renesas / Intersil
增益带宽产品fT
8000 MHz (Typ)
最大直流电集电极电流
0.065 A
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
48
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格,HFA3127BZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR PCT 1400V 590A
1:¥878.4394
5:¥862.303
10:¥823.4988
25:¥796.0624
参考库存:3590
分立半导体
双向可控硅 600V 10A 50-50-50mA
1:¥18.4416
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:4009
分立半导体
双向可控硅 THY 4A 600V TRIAC
1:¥11.526
10:¥9.2999
100:¥7.1416
500:¥6.3054
参考库存:4609
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:5590
分立半导体
分立半导体模块 220 Amp 30 Volt 18000 Amp IFSM
1:¥352.3905
5:¥343.0115
10:¥329.7227
参考库存:3600
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