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分立半导体
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FDD8N50NZTM

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库存:4,606(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.7009
67.009
100
¥5.1415
514.15
500
¥4.5539
2276.95
1,000
¥3.5934
3593.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD8N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD8N50NZTM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 SMD ULTRA FAST RECTIFIER
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2433
3,000:¥7.2433
参考库存:6178
分立半导体
MOSFET N-Ch 75 Volt 40 Amp
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
2,500:¥6.102
5,000:查看
参考库存:5173
分立半导体
MOSFET P-CH -20V -2.8A 8S
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.7346
500:¥2.0001
30,000:¥1.1526
48,000:查看
参考库存:40449
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 390A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥967.0314
参考库存:2614
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 50 Volt 150 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥5.8986
参考库存:4255
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