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分立半导体
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FQU13N06LTU-WS

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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.599
259.9
1,000
¥2.0792
2079.2
2,500
¥1.8645
4661.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
6.3 mm
长度
6.8 mm
系列
FQU13N06L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
5040
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
FQU13N06LTU_WS
单位重量
343.080 mg
商品其它信息
优势价格,FQU13N06LTU-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.7628
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100:¥2.1922
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1,000:¥1.4012
3,000:¥1.4012
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1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
9,000:¥0.89157
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1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:3169
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