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分立半导体
SI2338DS-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI2338DS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23
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库存:11,340(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.1979
31.979
100
¥2.373
237.3
500
¥1.9549
977.45
1,000
¥1.5029
1502.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
3 ns
零件号别名
SI2338DS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2338DS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET
1:¥8.0682
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.6556
3,000:¥3.2544
9,000:查看
参考库存:5241
分立半导体
整流器 0.7 Amp 100 Volt 1.8uS
1:¥3.9211
10:¥2.3165
100:¥1.3447
500:¥1.09836
3,000:¥0.73789
6,000:查看
参考库存:18807
分立半导体
MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:87059
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETE
1:¥116.5708
10:¥107.1918
25:¥102.7396
100:¥90.513
参考库存:1767
分立半导体
MOSFET 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
1:¥4.3844
10:¥2.9945
100:¥2.034
500:¥1.6272
3,000:¥1.12209
6,000:查看
参考库存:6106
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