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分立半导体
BSZ105N04NS G参考图片

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BSZ105N04NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存：15,690(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
5,000
¥1.6046
8023
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
BSZ105N04NSGATMA1 BSZ15N4NSGXT SP000388301
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，BSZ105N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-ST330C16L0L
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR Thyristors - B-PUK
1:¥1,126.3162
5:¥1,104.1908
10:¥1,052.708
25:¥1,030.5826
参考库存:27662
FEPB16BTHE3/81
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 16A 100V 35ns Dual 200 Amp IFSM
1:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.1868
800:¥5.9664
参考库存:27665
STI42N65M5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET NCH 65V 33A MDMESH V
1:¥84.4449
10:¥76.2976
25:¥72.772
100:¥63.167
参考库存:27668
STGW35HF60WD
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 35 A 600 V Ultra fast IGBT
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
参考库存:6123
T3401N36TOF
Infineon Technologies
分立半导体
SCR模块 NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL
1:¥17,904.3302
5:¥17,618.0334
参考库存:27673
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