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分立半导体
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DMN5L06TK-7

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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
280 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
490 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN5L06
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.8 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
200 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
2 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥5.2997
10:¥4.0228
100:¥2.9945
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1,500:¥1.7289
4,500:查看
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10:¥1.8532
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4,500:¥0.40002
9,000:查看
参考库存:15565
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