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分立半导体
BSP125 H6327参考图片

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BSP125 H6327

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数量单价合计
1
¥5.9212
5.9212
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.1753
317.53
1,000
¥2.5425
2542.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
120 mA
Rds On-漏源导通电阻
25 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP125
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
60 mS
下降时间
110 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
零件号别名
BSP125H6327XTSA1 SP001058576
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,BSP125 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 1000VOLT
1:¥3.3787
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100:¥1.4916
500:¥1.2317
3,000:¥0.7684
9,000:查看
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1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
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1:¥26.894
10:¥21.6734
100:¥19.7524
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10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
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分立半导体
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1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:21586
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