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分立半导体
HN4C51J(TE85L,F)参考图片

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HN4C51J(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
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库存:17,783(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-25-5
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
系列
HN4C51
直流电流增益 hFE 最大值
700
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
14 mg
商品其它信息
优势价格,HN4C51J(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2715
500:¥5.5483
参考库存:6189
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4
1:¥85.7557
10:¥78.9192
25:¥75.6083
100:¥66.6248
参考库存:4886
分立半导体
MOSFET P-Ch -30V -9.1A DSO-8 OptiMOS P
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,500:¥3.1753
参考库存:6968
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LV High Perf PNP VCBO -40 VCEO -40
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
10,000:¥0.89157
20,000:查看
参考库存:23995
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V VR 1A 0.51V VF PMDU; SOD-123FL
1:¥3.9211
10:¥3.0058
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
参考库存:10019
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