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分立半导体
SI1012R-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI1012R-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
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库存:18,789(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9606
29.606
100
¥2.1922
219.22
500
¥1.808
904
3,000
¥1.2769
3830.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-75A-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
750 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
175 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
1.575 mm
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.76 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
SI1012R-GE3
商品其它信息
优势价格,SI1012R-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Field-Effect Rectifier Diode 60V
1:¥6.4523
10:¥5.3562
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:5693
分立半导体
整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥8.8366
10:¥7.5145
100:¥5.7743
500:¥5.1076
1,000:¥4.0228
参考库存:4125
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.1A IO SOD-523; EMD2
1:¥1.3786
10:¥1.2656
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:21802
分立半导体
MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
参考库存:4587
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V 2A SMF(DO-219AB) TMBS
1:¥4.0002
10:¥2.3165
100:¥1.3447
500:¥1.09836
3,000:¥0.73789
6,000:查看
参考库存:6789
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