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分立半导体
BSS127H6327XTSA2参考图片

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BSS127H6327XTSA2

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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.2939
22.939
100
¥1.05316
105.316
1,000
¥0.80682
806.82
3,000
¥0.69156
2074.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS127
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
7 mS
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
BSS127 BSS127H6327XT H6327 SP000919332
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS127H6327XTSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
3,000:¥0.35369
参考库存:44653
分立半导体
稳压二极管 10 Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:16111
分立半导体
MOSFET N-channel 100 V 38 mo FET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.4634
参考库存:15084
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:5629
分立半导体
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1:¥8.2942
10:¥7.0399
100:¥5.4127
500:¥4.7799
1,000:¥3.7742
1,500:¥3.7742
参考库存:5579
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