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分立半导体
MRF275G参考图片

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MRF275G

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
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1
¥1,103.8857
1103.8857
10
¥1,041.408
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
26 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
11.2 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
375-04
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
400 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
商品其它信息
优势价格，MRF275G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4626-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.6 Volt 0.225W 5% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:52458
MMBZ5258B-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.225W 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:52461
MMBZ5250C-HE3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.225W 2% AUTO
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:52464
GDZ36B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 0.2 Watt 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:52467
BAV5004WSQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 HiVolt Switch Diode BVR > 100V
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.34578
参考库存:52470
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