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分立半导体
SI2307BDS-T1-E3参考图片

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SI2307BDS-T1-E3

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库存:18,749(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.6669
46.669
100
¥3.5369
353.69
500
¥2.9154
1457.7
1,000
¥2.3391
2339.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SI2307BDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2307BDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET SO8FL 60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,500:¥3.1753
9,000:查看
参考库存:6094
分立半导体
稳压二极管 500mW 15V 600 Ohm 0.1 uA 11 Vr
1:¥1.1526
10:¥0.9379
100:¥0.32996
1,000:¥0.23052
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:11563
分立半导体
MOSFET Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri
1:¥9.379
10:¥7.9891
100:¥6.1811
500:¥5.4579
2,500:¥3.8307
10,000:查看
参考库存:3528
分立半导体
稳压二极管 Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:3947
分立半导体
肖特基二极管与整流器 RECOMMENDED ALT 755-RB055LAM-60TFTR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
1,500:¥1.4125
参考库存:4930
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