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分立半导体
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CGH55015F2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
12 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
10 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
应用
-
配置
Single
高度
3.43 mm
长度
14.09 mm
工作频率
4.5 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
4.19 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
类
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
60
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
单位重量
500 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BAR 65-03W E6327
Infineon Technologies
分立半导体
PIN 二极管 Silicon PIN Diode 30V 100mA
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:12064
FQS4901TF
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1:¥7.8422
10:¥6.6331
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:6547
STF9NK90Z
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1:¥29.7416
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100:¥21.8994
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PSMN1R7-30YL,115
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1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
1,500:¥4.0341
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QH12TZ600
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分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 H-Series 600V 12A Super-Low Qrr
1:¥24.2046
10:¥21.5943
25:¥19.436
50:¥18.5207
参考库存:43086
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