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分立半导体
PSMN2R0-60PS,127参考图片

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PSMN2R0-60PS,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 2.2 mOhms
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库存：5,287(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.2891
19.2891
10
¥16.3624
163.624
100
¥13.0628
1306.28
500
¥11.4469
5723.45
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
137 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
338 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，PSMN2R0-60PS,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P35S12M3
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:2640
FP150R12KT4_B11
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:2572
SUM50020E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:3350
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:2784
PMCM4401UNEZ
Nexperia
分立半导体
MOSFET MOS Discretes WLCSP
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
参考库存:5179
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