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SI2316BDS-T1-GE3参考图片

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SI2316BDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.8024
280.24
500
¥2.3052
1152.6
1,000
¥1.8419
1841.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.66 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
零件号别名
SI2316BDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2316BDS-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HS2KHR4G
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2,000:¥3.4578
3,000:¥3.1301
5,000:¥2.9154
10,000:¥2.8137
25,000:¥2.7007
参考库存:23232
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