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分立半导体
PSMN2R7-30PL,127参考图片

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PSMN2R7-30PL,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CHAN 30V 100A
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数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥10.0683
100.683
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Nexperia
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，PSMN2R7-30PL,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N6135AUS
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