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分立半导体
BSN20-7参考图片

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BSN20-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 41V-60V,SOT23,3K
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数量单价合计
1
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2.6103
10
¥1.8193
18.193
100
¥0.76049
76.049
1,000
¥0.52206
522.06
3,000
¥0.4068
1220.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
920 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BSN20
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
8.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.99 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.45 ns
典型接通延迟时间
2.93 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PMT4117/TR13
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Microsemi
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整流器 0.5A 100V 35ns mini-SMA
5,000:¥0.47686
10,000:¥0.43053
25,000:¥0.42262
参考库存:27899
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