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分立半导体
CGH60015D-GP4参考图片

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CGH60015D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
1.06 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH60015D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HS1DHF3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥5.4579
10:¥4.9155
100:¥3.2318
1,000:¥1.07576
1,800:¥0.89157
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DTB743ZETL
ROHM Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
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K1V38(W)-7000
Shindengen
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高压触发二极管 Sidac Bi-Directional
1:¥17.4472
10:¥15.8313
100:¥13.673
500:¥12.2153
参考库存:21252
US1BHF3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A,100V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
1:¥5.4579
10:¥4.9155
100:¥3.2318
1,000:¥1.07576
1,800:¥0.89157
参考库存:21255
SF67GHR0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 6A, 500V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥5.6048
10:¥5.1528
100:¥3.9663
500:¥2.938
1,250:¥2.1696
参考库存:21258
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