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分立半导体
CGH60015D-GP4参考图片

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CGH60015D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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10
¥358.9219
3589.219
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
15 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
1.06 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH60015D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 30A SMPD(TO-263AC)
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
2,000:¥5.7969
参考库存:5608
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
2,500:¥0.35369
8,000:¥0.30736
参考库存:14227
分立半导体
肖特基二极管与整流器 650V 20A SIC SBD
1:¥47.0306
10:¥42.488
25:¥40.4992
100:¥35.1882
参考库存:3931
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.03A IO SOD-323FL; UMD2
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:11683
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-416FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.4577
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12508
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