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分立半导体
NPT1012B参考图片

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NPT1012B

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
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数量单价合计
1
¥1,078.6754
1078.6754
2
¥1,048.866
2097.732
5
¥1,024.8196
5124.098
10
¥994.9198
9949.198
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
4 mA
最大工作温度
+ 200 C
Pd-功率耗散
44 W
安装风格
Screw Mount
封装
Tray
配置
Single
工作频率
4 GHz
商标
MACOM
P1dB - 压缩点
43 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
440 mOhms
工厂包装数量
30
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
220 mg
商品其它信息
优势价格,NPT1012B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 16A,35V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥12.0684
10:¥9.9101
100:¥7.6501
500:¥6.5766
800:¥5.1867
参考库存:25335
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Mosfet
100:¥642.9926
参考库存:25338
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
1:¥919.0064
5:¥902.1016
10:¥861.5346
25:¥832.7874
参考库存:25341
分立半导体
SCR模块 600 Volt 500 Amp
1:¥515.054
5:¥505.6072
10:¥484.7022
25:¥469.5715
参考库存:25344
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8
1:¥13.673
10:¥11.6051
100:¥9.2999
500:¥8.1473
5,000:¥6.0681
10,000:查看
参考库存:25347
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