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分立半导体
CSD17313Q2参考图片

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CSD17313Q2

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
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库存:35,472(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.6838
36.838
100
¥2.2374
223.74
1,000
¥1.7289
1728.9
3,000
¥1.4803
4440.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WSON-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
17 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
CSD17313Q2
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
2 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
TMDSCSK388, TMDSCSK8127
下降时间
1.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.2 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
8.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17313Q2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:12675
分立半导体
稳压二极管 25.19-26.56V 5mA SOD-323FL; UMD2
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:6677
分立半导体
整流器 1A 600V 40A@8.3ms Single Die Auto
1:¥3.6838
10:¥2.1018
100:¥1.12209
500:¥0.89948
1,800:¥0.58421
3,600:查看
参考库存:12205
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.7629
10:¥2.5764
100:¥1.7402
500:¥1.4012
1,500:¥0.9605
4,500:查看
参考库存:10812
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED MONO DUAL NPN
1:¥136.7752
10:¥124.1757
20:¥116.6386
50:¥112.3446
参考库存:3926
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