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分立半导体
BSZ086P03NS3GATMA1参考图片

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BSZ086P03NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥6.0681
6.0681
10
¥5.0624
50.624
100
¥3.2657
326.57
1,000
¥2.6103
2610.3
5,000
¥2.2035
11017.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
57.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
BSZ086P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSZ086P03NS3 BSZ86P3NS3GXT G SP000473024
商品其它信息
优势价格，BSZ086P03NS3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N4370-1
Microsemi
分立半导体
整流器 Std Rectifier
341:¥42.1829
500:¥38.4991
1,000:¥33.5045
2,500:¥32.431
参考库存:37230
JANTXV1N976C-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
225:¥69.6984
250:¥64.0823
500:¥58.3984
1,000:¥50.8726
参考库存:37233
JAN1N3019D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥199.6258
200:¥183.1843
500:¥174.3477
参考库存:37236
JANTX1N5518C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥141.9958
200:¥129.4754
500:¥121.1021
参考库存:37239
JAN1N3828D-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥146.6853
200:¥134.6282
500:¥128.0968
参考库存:37242
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