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分立半导体
DMN2009LSS-13参考图片

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DMN2009LSS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A
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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.2827
42.827
100
¥2.7685
276.85
1,000
¥2.2148
2214.8
2,500
¥2.2148
5537
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.56 mm
长度
4.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN2009
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.25 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2009LSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管
100:¥67.3141
117:¥67.3141
200:¥61.8562
500:¥56.3983
1,000:¥49.0985
参考库存:51352
分立半导体
稳压二极管
100:¥64.8507
110:¥64.8507
200:¥59.6301
500:¥54.3304
1,000:¥47.3357
参考库存:51355
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥81.8346
250:¥74.6139
500:¥69.8453
1,000:¥64.0032
参考库存:51358
分立半导体
稳压二极管
100:¥56.9407
138:¥56.9407
200:¥52.3303
500:¥47.7199
1,000:¥41.5727
参考库存:51361
分立半导体
稳压二极管
100:¥50.2511
142:¥50.2511
200:¥46.1831
500:¥42.1038
1,000:¥36.6572
参考库存:51364
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