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分立半导体
SI1012CR-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI1012CR-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC75A
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库存:87,182(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥2.3956
23.956
100
¥1.4012
140.12
500
¥1.1413
570.65
3,000
¥0.76049
2281.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-75-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
396 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
1.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
1.575 mm
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
0.76 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7.5 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SI1012CR-GE3
单位重量
2 mg
商品其它信息
优势价格,SI1012CR-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 0,5A, 1000V, SMF FAST RECOVERY
3,600:¥0.62263
9,000:¥0.48364
23,400:¥0.43844
48,600:¥0.39211
99,000:¥0.3616
参考库存:32141
分立半导体
整流器 3A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMB RECTIFIER
6,000:¥0.92208
9,000:¥0.87575
参考库存:32144
分立半导体
整流器 3A,300V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
6,000:¥0.91417
9,000:¥0.86784
参考库存:32147
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Low VF 1Amp 30v SMD Schottky Rectifier
15,000:¥1.356
参考库存:32150
分立半导体
整流器 1.5A, 1000V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
3,600:¥0.72998
9,000:¥0.56839
23,400:¥0.51528
48,600:¥0.46104
99,000:¥0.43053
参考库存:32153
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