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分立半导体
APT50GS60BRDQ2G参考图片

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APT50GS60BRDQ2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
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数量单价合计
1
¥84.6822
84.6822
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
93 A
Pd-功率耗散
415 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
93 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
93 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt HS
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT50GS60BRDQ2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified
13,000:¥1.8532
19,500:¥1.7854
参考库存:34690
分立半导体
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-M3
50,000:¥0.99101
参考库存:34693
分立半导体
稳压二极管 ZENER SMF DO-219AB AEC-Q101 Qualified
50,000:¥0.7684
参考库存:34696
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥3.8307
24,000:¥3.5369
参考库存:34699
分立半导体
稳压二极管 150 Volt 20W 10%
12,500:¥3.9437
参考库存:34702
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