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分立半导体
SQ1539EH-T1_GE3参考图片

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SQ1539EH-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:76,119(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.6329
26.329
100
¥1.9549
195.49
500
¥1.5933
796.65
3,000
¥1.12209
3366.27
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
850 mA
Rds On-漏源导通电阻
210 mOhms, 788 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.4 nC, 1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
2.1 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.2 S, 0.6 S
下降时间
32 ns, 17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns, 39 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns, 10 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 4 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,SQ1539EH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 5.6V 2% 500mW 2-Pin
1:¥1.6159
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
5,000:¥0.25312
参考库存:8704
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR PNP 50V
1:¥1.3786
10:¥1.1978
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:8408
分立半导体
稳压二极管 350mW, 5.0mA/15V
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
1,000:¥0.43053
3,000:¥0.32318
参考库存:7797
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.23052
参考库存:13741
分立半导体
稳压二极管 Tight Tol Zener 200mW 4.3Vz 5mA 5uA
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:9337
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