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分立半导体
SISA18ADN-T1-GE3参考图片

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SISA18ADN-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.8928
289.28
500
¥2.373
1186.5
1,000
¥1.8419
1841.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
38.3 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
21.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
3.3 mm
系列
SIS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
54 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
15 ns
商品其它信息
优势价格，SISA18ADN-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES1JLHRQG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.71416
50,000:¥0.63732
100,000:¥0.59212
参考库存:22186
FST16030
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 160A Schottky Recovery
40:¥463.8876
80:¥454.2826
120:¥438.8355
参考库存:22189
1N4112-TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
10,000:¥1.3447
20,000:¥1.2769
50,000:¥1.243
参考库存:22192
ES1ALHRQ
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.68365
50,000:¥0.60681
100,000:¥0.56839
参考库存:22195
MURTA200120R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
整流器 1200V 200A Si Super Fast Recovery
18:¥788.2202
36:¥751.4952
54:¥736.0481
108:¥709.4592
参考库存:22198
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