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分立半导体
DMN1019UFDE-7参考图片

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DMN1019UFDE-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.6611
166.11
1,000
¥1.2882
1288.2
3,000
¥1.09836
3295.08
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-E-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
27.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
690 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN10
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
28 S
下降时间
16.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57.6 ns
典型接通延迟时间
7.6 ns
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N2820B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥540.1852
2:¥529.5067
5:¥523.7437
10:¥507.37
参考库存:1805
2SA1552T-H
ON Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 1.5A 160V
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
2,500:¥1.695
参考库存:2447
BCX 70G E6327
Infineon Technologies
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.08367
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.24634
参考库存:10654
JANS1N5806
Microsemi
分立半导体
整流器 Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
1:¥490.2392
5:¥469.6506
10:¥461.4242
25:¥432.5301
参考库存:1752
UDZSTE-1733B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 33V 5MA
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.61472
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32996
参考库存:3167
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