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分立半导体
CSD16409Q3参考图片

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CSD16409Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:6,992(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.989
59.89
100
¥4.6104
461.04
500
¥4.0793
2039.65
2,500
¥2.8589
7147.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD16409Q3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
3.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.3 ns
典型接通延迟时间
6.5 ns
单位重量
41.800 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16409Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.5W 2%
1:¥1.8419
10:¥1.5933
100:¥0.67574
500:¥0.56048
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:29406
分立半导体
稳压二极管 1.5watt 9.1volt 5%
1:¥4.2262
10:¥2.8476
100:¥1.921
500:¥1.5481
3,000:¥1.05994
6,000:查看
参考库存:7533
分立半导体
稳压二极管 2.4 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:20513
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT
1:¥3.7629
10:¥2.4182
100:¥1.03734
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.53788
20,000:查看
参考库存:8867
分立半导体
SCR模块 1600 Volt 165 Amp
1:¥502.8387
5:¥493.6179
10:¥473.2553
25:¥458.4297
参考库存:4542
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