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分立半导体
BSS126 H6327参考图片

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BSS126 H6327

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数量单价合计
1
¥2.9945
2.9945
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02152
3064.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 mA
Rds On-漏源导通电阻
500 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BSS126
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
8 mS
下降时间
115 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.7 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
6.1 ns
零件号别名
BSS126H6327XT BSS126H6327XTSA2 SP000919334
单位重量
34 mg
商品其它信息
优势价格,BSS126 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
1:¥5.4579
10:¥4.9155
100:¥3.2318
1,000:¥1.07576
1,800:¥0.89157
参考库存:21246
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:21249
分立半导体
高压触发二极管 Sidac Bi-Directional
1:¥17.4472
10:¥15.8313
100:¥13.673
500:¥12.2153
参考库存:21252
分立半导体
整流器 1A,100V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER
1:¥5.4579
10:¥4.9155
100:¥3.2318
1,000:¥1.07576
1,800:¥0.89157
参考库存:21255
分立半导体
整流器 6A, 500V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER
1:¥5.6048
10:¥5.1528
100:¥3.9663
500:¥2.938
1,250:¥2.1696
参考库存:21258
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