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分立半导体
BSS214NH6327XTSA1参考图片

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BSS214NH6327XTSA1

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库存:50,335(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.60681
1820.43
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
106 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
800 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS214
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4 S
下降时间
1.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns
零件号别名
BSS214N BSS214NH6327XT H6327 SP000928936
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BSS214NH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 SOT-23 3 SNGL CPR PBF
1:¥3.5369
10:¥2.4973
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.75258
参考库存:12305
分立半导体
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
3,000:¥3.4126
参考库存:33953
分立半导体
整流器 20 A 45 V SCHOTTKY DIODE
1:¥9.9892
10:¥8.5315
100:¥6.5201
500:¥5.7517
5,000:¥4.0341
10,000:查看
参考库存:33956
分立半导体
整流器 300 Volt 2x5A 35ns Dual Common Cathode
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.328
参考库存:33959
分立半导体
整流器 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
1:¥4.068
10:¥2.8024
100:¥1.8984
500:¥1.5255
1,500:¥1.04525
4,500:查看
参考库存:33962
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