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分立半导体
STU11N65M2参考图片

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STU11N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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库存:32,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh II Plus
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STU11N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU11N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
1:¥2.9154
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
参考库存:9866
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.0964
参考库存:2868
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 600V VR 20A IO ITO-220AC; TO-220NFM
1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1416
参考库存:3721
分立半导体
MOSFET 2.5v Nch+Pch 6pin TUMT6; w/G-S Diode
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.6498
参考库存:7862
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥5.763
10:¥4.8025
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,500:¥2.486
参考库存:4374
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