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分立半导体
SIA483DJ-T1-GE3参考图片

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SIA483DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
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库存:4,740(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.3108
3932.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SC70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2.05 mm
系列
SIA
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
2.05 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
23 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
37 ns
商品其它信息
优势价格,SIA483DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 SMD ULTRA FAST RECTIFIER
1:¥14.0572
10:¥12.5204
100:¥9.9892
500:¥8.7575
1,000:¥7.2433
3,000:¥7.2433
参考库存:6178
分立半导体
MOSFET N-Ch 75 Volt 40 Amp
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
2,500:¥6.102
5,000:查看
参考库存:5173
分立半导体
MOSFET P-CH -20V -2.8A 8S
1:¥4.3053
10:¥3.6386
100:¥2.7346
500:¥2.0001
30,000:¥1.1526
48,000:查看
参考库存:40449
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 390A
1:¥1,056.776
5:¥1,036.0292
10:¥987.6991
25:¥967.0314
参考库存:2614
分立半导体
桥式整流器 4.0 Amp 50 Volt 150 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥10.2943
100:¥7.9891
500:¥5.8986
参考库存:4255
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