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分立半导体
DMN65D8L-7参考图片

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DMN65D8L-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
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1
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1.2317
10
¥1.13
11.3
100
¥0.40002
40.002
1,000
¥0.26894
268.94
3,000
¥0.20792
623.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
310 mA
Rds On-漏源导通电阻
3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
540 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN63
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
7.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.6 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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500:¥23.7413
1,000:¥20.0575
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参考库存:25922
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