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分立半导体
SI2306BDS-T1-E3参考图片

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SI2306BDS-T1-E3

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库存:16,408(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.7798
277.98
500
¥2.2939
1146.95
1,000
¥1.7628
1762.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.16 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SI2306BDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SI2306BDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 51v
1:¥1.5368
10:¥1.3108
100:¥0.85315
1,000:¥0.28476
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:22410
分立半导体
桥式整流器 10A, 600V, G.P., INLINE BRIDGE RECTIFIER
1:¥11.0627
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥5.7856
1,000:¥4.2827
2,000:¥4.1923
参考库存:22413
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 30mA 40V
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.791
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:22416
分立半导体
整流器 1A, 100V, GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥3.1527
100:¥2.0792
1,000:¥0.69156
1,800:¥0.5763
参考库存:22419
分立半导体
稳压二极管 0.50W, VR=6.8V
1:¥2.147
10:¥1.356
100:¥0.61472
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.29945
参考库存:22422
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