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分立半导体
STGF19NC60KD参考图片

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STGF19NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
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库存:2,992(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
32 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,STGF19NC60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1639
5,000:¥0.75258
10,000:查看
参考库存:9959
分立半导体
整流器 100 Volt 1.0A 150ns 30 Amp IFSM
1:¥3.616
10:¥2.0453
100:¥1.09836
500:¥0.88366
7,500:¥0.51528
参考库存:9193
分立半导体
稳压二极管 22 Volt 1.3 Watt
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.72998
500:¥0.62263
5,000:¥0.32318
10,000:查看
参考库存:26113
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:8692
分立半导体
稳压二极管 4.3 Volt 0.5 Watt 5%
1:¥1.6159
10:¥1.3899
100:¥0.59212
500:¥0.49155
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:11478
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