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分立半导体
PSMN013-100PS,127参考图片

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PSMN013-100PS,127

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET
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数量单价合计
1
¥9.605
9.605
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.2489
624.89
500
¥5.5257
2762.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
68 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
59 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
9.4 mm
长度
10.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
N-Channel 100 V 13.9 mOhms Standard Level MOSFET in TO220
宽度
4.7 mm
商标
Nexperia
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52.5 ns
典型接通延迟时间
20.7 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZD17C30P-E3-18
Vishay Semiconductors
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7,500:¥3.3335
22,500:¥3.1301
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