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分立半导体
PHT4NQ10T,135参考图片

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PHT4NQ10T,135

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET TAPE13 PWR-MOS
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数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
4,000
¥1.5029
6011.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.7 mm
长度
6.7 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Nexperia
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
/T3 PHT4NQ10T
单位重量
250 mg
商品其它信息
优势价格，PHT4NQ10T,135的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRL640SPBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET N-Chan 200V 17 Amp
1:¥13.9894
10:¥11.6842
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RTF025N03TL
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MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:8091
APT20M22JVRU3
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分立半导体
MOSFET Power Module - Mosfet
1:¥347.0117
5:¥335.4066
10:¥324.4908
25:¥300.0602
参考库存:2638
PSMN3R5-80ES,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:3078
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1:¥1,148.2947
5:¥1,125.706
10:¥1,073.2288
25:¥1,050.7079
参考库存:2595
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