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分立半导体
CGH60008D-GP4参考图片

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CGH60008D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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¥168.0536
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
8 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
820 um
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH60008D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
Q4025J6TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 Altnstr 400V 25A Iso 80-80-80 mA
1:¥48.1832
10:¥48.1041
25:¥48.025
100:¥42.6462
参考库存:3119
GSIB620-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 200 Volt 6.0 Amp 180 Amp IFSM
1:¥15.7522
10:¥13.0628
100:¥10.1474
500:¥8.8366
1,000:¥7.3563
参考库存:3275
VS-70HFLR20S02
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200 Volt 70 Amp
1:¥107.7342
10:¥97.8919
20:¥90.5921
50:¥85.6766
参考库存:3040
BZT55C18 L1
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 500mW 5%
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥1.02943
1,000:¥0.34578
2,500:¥0.28476
参考库存:11344
SBE807-S-TL-W
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SBD DUAL PARALLEL 1A 30V
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:4927
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