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分立半导体
SI1553CDL-T1-GE3参考图片

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SI1553CDL-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6 N&P PAIR
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.7572
27.572
100
¥1.8645
186.45
500
¥1.5029
751.45
1,000
¥1.12209
1122.09
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
700 mA, 500 mA
Rds On-漏源导通电阻
390 mOhms, 850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.8 nC, 3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
340 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.5 S, 0.8 S
下降时间
13 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns, 15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 12 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 15 ns
零件号别名
SI1553DL-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3-S SI1563DH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,SI1553CDL-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:50408
分立半导体
稳压二极管 20 Volt 0.35Watt 2%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:50411
分立半导体
稳压二极管 39 Volt 0.2W 5% AUTO
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
500:¥0.56048
3,000:¥0.33787
6,000:查看
参考库存:50414
分立半导体
稳压二极管 3.0 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:50417
分立半导体
稳压二极管 2.4 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:50420
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